references

参考資料

GAUSSMETERS DETECTION METHOD
磁界測定器検出用方式

磁界の検出方式

サーチコイル方式
ファラデーの法則を応用
ホール素子方式
1879年にE.H.Hallによって発見されたホール効果を応用
フラックスゲート方式
1936年にH.AschenbrennerとG.Gaubauによって発表された
磁気発振方式
1984年に弊社と九州大学によって発表された
その他
MI素子、MR素子、SQUID

フラックスゲート方式とホール素子方式の違い

フラックスゲート方式 ホール素子方式
長所 センサの温度特性が良い。
微小な変動磁界の計測に適している。
ゼロ点のドリフトが非常に小さい。		 センサの形状が小さい。
非常に強い磁界が計測できる。
フラックスゲート方式に比べ、高周波の磁界が計測できる。
短所 センサ形状が大きい。
強磁界の計測に適さない。
高い周波数の磁界が計測できない。		 使用前に毎回ゼロ点調整の必要がある。
フラックスゲート方式に比べ、センサの温度特性が大きい。
ゼロ点ドリフトが大きいため、微小変動磁界の計測に適さない。

全磁力の算出方式

T：全磁力
X：X軸の磁束密度
Y：Y軸の磁束密度
Z：Z軸の磁束密度

UNIT CONVERSION / QUICK REFERENCE
単位換算表、単位早見表

単位換算表

磁気的量 記号 MKS単位 CGS電磁単位 CGS静電単位
起磁力 m 1〔A〕 4π/10〔Gilbert〕 4π×3×109〔esu〕
磁界の強さ H 1〔A/m〕 4π/10-3〔Oersted〕 4π×3×107〔esu〕
磁束 Φ 1〔Wb〕 108〔Maxwell〕 1/（3×102）〔esu〕
磁束密度 B 1〔T〕 104〔Gauss〕 1/（3×106）〔esu〕
磁極の強さ 1〔Wb〕 108/4π〔emu〕 1/（4π×3×102）〔esu〕
インダクタンス L 1〔H〕 109〔emu〕 1/（9×1011）〔esu〕
透磁率 μ 1〔H/m〕 107/4π〔emu〕 1/（4π×9×1013）〔esu〕

単位早見表

T(テスラ) G（ガウス）
1T 1,000mT 104G 10kG
0.1T 100mT 1,000G 1kG
0.01T 10mT 100G 0.1kG
0.001T 1mT 10G 10G
1×10-4T 100μT 1G 1G
1×10-5T 10μT 0.1G 100mG
1×10-6T 1μT 0.01G 10mG
1×10-7T 100nT 0.001G 1mG
1×10-8T 10nT 1×10-4G 100μG
1×10-9T 1nT 1×10-5G 10μG
1×10-10T 0.1nT 1×10-6G 1μG
1×10-11T 0.01nT 1×10-7G 0.1μG

GAUSSMETERS CLASSIFICATION
磁界測定器分類図

PRICE
価格

製品の価格に関する詳細情報やお見積りは随時承っております。
ご希望の仕様や条件に応じたご案内をいたしますので、お気軽にお問い合わせください。

お問い合わせフォーム

Tel. 093-661-2271 （平日 9:00～17:00）

Fax. 093-681-1428

PAMPHLET
パンフレットダウンロード

磁界測定器、磁気応用製品、磁気センサ、直流電流センサ、その他関連製品の総合パンフレットです。
一部生産中止、受注停止、仕様変更した製品が掲載されている場合があります。
最新の情報に関しましてはお問い合わせください。

ダウンロード